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Lumentum APD 芯片是一种基于磷化铟 (InP) 的器件,设计用于高达 11.3 Gbps 的高性能电信接收器应用。 通过提供 30 μm 孔径的环形触点,通过中央有源区的顶部照明接收光信号。
P(阳极)和 N(阴极)触点在有源区上施加反向电偏压。 圆形 P 键合焊盘的直径为 70 微米,适用于引线键合。
APD 适用于以 M3 和 M10 之间的倍增增益因子以高达 11.3 Gbps 的速度运行。
性能通过包括 DC、CV 和 AC 测试测量的晶圆测试来检查。
<1FIT 的可靠性源自超过 400 亿个现场小时。
Telcordia ESD 等级:min. 500 V型号。
击穿电压(在黑暗中,Id=10 µA)Vbr:-26…-32 V
暗电流(在黑暗中,Vbr * 0.9) Id9:50 毫安
3dB 带宽,M=10(10 µW 入射 1550 nm,I=100 µA)BWM10 :6.0 GHz
3dB 带宽,M=3(10 µW 入射 1550 nm,I=30 µA)BWM3:6.0 GHz
响应度 (10 µW,1550 nm)R:1.0 A/W
在固定电压下((VM3 和 VM10,Popt = 10µW,λ=1550 nm)1610 nm 时的电流比
)R1610/R1550:0.75
1300 nm 与 1550 nm 的响应率比(在固定电压下(VM3 和 VM10,Popt =10 µW, λ=1550 nm) 时的电流比)R1300/R1550:0.70
Vbr 温度系数(-40 至 +85°C)dVbr/dT:0.040 …0.061 Vdeg-1
总电容(At Vbr * 0.9)C:0.22…0.25 pF
光过载(M3)Povld:-2 dBm
长途网络
单模数据通信和电信
10G PON