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ENTEGRIS传输系统ProE-Vap 100.pdf下载
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ProE-Vap 传输系统专为原子层沉积 (ALD) 和化学气相沉积 (CVD) 工艺中使用的固体前驱体而设计。它能为当前和未来技术节点中使用的各种固体材料提供稳定的质量流量。固体前驱体由于蒸汽压力低、热稳定性有限，很难稳定地输送到沉积室中。ProE-Vap 系统克服了这些问题，提供了业内适配解决方案。与其他蒸发器相比，ProE-Vap 传输系统能以更低的温度更稳定地传输固体前驱体，从而降低 ALD 和 CVD 的拥有成本。它能很大限度地减少化学浓度漂移，从而提高晶圆产量，减少工具停机时间。自 2008 年以来，ProE-Vap 已在大批量生产环境中证明了其高可靠性和强大的性能。它支持输送制造高度复杂的微电子器件所需的各种无机和过渡金属前驱体。提供多种配置，可安装在不同的 OEM 工具套件上
用于固体前驱体输送的创新设计安瓿
在较低温度下提供更高的质量流量
支持气动和手动阀门选项
整体性能高，在蒸发器使用寿命内流量始终如一
经证明可用于半导体应用中的多种固体前驱体，并可用于 LED 等其他新兴技术
可有效使用前驱体，大限度地减少过热导致的分解
与多个 OEM 工具兼容；支持开发型大批量晶片处理
降低拥有成本
材料汽化表面积增加 6 倍
托盘可改善材料的热传导，从而提高热均匀性
载气流穿过固体表面，以提高汽化材料的拾取率
产地：美国
Max温度：200 至 250°C (392 至 482 °F)，视配置而定
Max压力：工作温度下 100 psig
外形尺寸（高×宽）：258.27 × 139.7 mm（10.17 × 5.5 英寸）
气体入口位置：中轴
接头类型：1⁄4 " 内螺纹 VCR
高度：257 mm（10.12 英寸）
气体出口位置：偏离中轴1.5"
接头类型：1⁄4 " 外螺纹 VCR
高度：258.27 mm（10.17 英寸）
材质：316L SS
表面处理：≤ 10 Ra
载气：UHP He（氦气）、UHP N2（氮气）、UHP Ar（氩气）
顶气：5 psi He
原子层沉积、高κ电容器和门控电容器、金属壁垒和电极、无氟钨 (FFW)
