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每个检测器具有100mm2的有源面积和用于在12nm和18nm之间进行检测的直接沉积的薄膜滤波器。两种探测器在13.5nm处都具有0.09A/W的典型响应度，并且针对不同的电性能进行了优化。光电二极管非常适合用于激光功率监测、半导体光刻和利用极紫外光的计量系统等应用。SXUV100TF135针对更高速的反向偏置电压操作进行了优化。该器件具有低电容，通常为260pF，反向偏置电压为12伏。
产地：法国
击穿电压：25 V
配置：单个
模块：否
包装：陶瓷
包装类型：陶瓷
光电探测器类型：PN
操作模式：光电导
波长范围：18至80 nm
响应时间：20 ns
反向电压：25 V
光谱带：紫外线
电容：220至350 pF
暗电流：8至25 nA
响应性/感光度：0.08至0.1 A/W@13.5 nm
有效面积：100 mm2（10 mm x 10 mm）
工作温度：-10至40℃
储存温度：-10至40℃
激光功率监测
半导体光刻
计量系统
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