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Infineon-晶体管-IMBG120R350M1H.pdf下载
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采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封装的 CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能和工作可靠性。CoolSiC 技术的低功率损耗与全新 1200 V 优化 SMD 封装中的 .XT 互连技术相结合，在驱动器、充电器和工业电源等应用中实现了效率和被动冷却潜力。开关损耗低，短路耐受时间为 3 µs，完全可控的 dV/dt，基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5 V，对寄生导通具有坚固性，可采用 0 V 关断栅极电压，稳健的体二极管可实现硬换向，采用 .XT 互连技术，具有同类良好的散热性能，封装爬电距离和间隙大于 6.1 毫米，感应引脚可优化开关性能。
效率提高
实现更高频率
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本
SMD 封装可直接集成到印刷电路板上，自然对流冷却，无需额外的散热片
产地：德国
封装：TO-263-7
漏源电压VDS ：1200 V
直流漏极电流ID TC = 25°C, Rth(j-c,max)：4.7 A
脉冲漏极电流，tp 受 Tvjmax 限制，VGS = 18V：17 A
RDS(onTvj = 25°C, ID = 2A, VGS = 18V：350 mΩ
虚拟结温Tvj：-55 ℃ 至175 ℃
焊接温度回流焊接（MSL1，符合 JEDEC J-STD-020 标准）：260 ℃
MOSFET/ 本体二极管热阻，结点 - 外壳Rth(j-c）：1.8 - 2.3 K/W
热阻，结点 - 环境Rth(j-a)：62 K/W
输入电容：196 pF
输出电容：9 pF
反向电容：0.94 pF
Coss储存能量：3.8 μJ
栅极总电荷：5.9 nC
栅极至源极电荷：1.5 nC
栅极至漏极电荷：1.2 nC
电动汽车充电、工业电机驱动和控制、光伏、不间断电源 (UPS)
